特許

J-GLOBAL ID：200903075943597087

バッチ式アッシング装置

発明者： 米山 詩麻夫 ,  藤田 太一 ,  福岡 誠也 ,  大坂谷 隆義 ,  工藤 大二朗
出願人/特許権者： エム・シー・エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 原田 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-151668
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312284
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 どのようなプロセス条件の下でも内部電極におけるインピーダンスを安定にして安定したプラズマ放電が発生し、効率的に処理できるようにする。【解決手段】 反応管1内で所定の支持間隔でウエハーWを保持し、一方は高周波電源に接続し、他方は接地してある内外部の電極2,3相互間で高周波電圧の印加によって内部電極3に開穿したラジカル導入孔11を経てウエハーW表面にエッチング、アッシング等を処理する。反応管1内の内部電極3表面、この内部電極3を支持するボトムプレート4、トッププレート5夫々の表面に耐蝕性酸化皮膜3Aを予め形成する。この耐蝕性酸化皮膜3AはAl2 O3 、SiO2 のいずれかとし、あるいはボトムプレート4、トッププレート5自体を耐蝕性酸化素材のものとする。ラジカル導入孔11は内部電極3全域に分布して開穿し、ラジカル導入孔11における孔縁のエッジ部は内部電極3の地肌をほぼ露出した状態のものとする。

請求項（抜粋）：

反応管内で所定の支持間隔でウエハーを保持し、一方は高周波電源に接続され、他方は接地されている内外部の電極相互間で高周波電圧の印加によって内部電極に開穿したラジカル導入孔を経てラジカルを導入しウエハー表面でエッチング、アッシング等を処理するバッチ式アッシング装置において、反応管内の内部電極表面、この内部電極を支持するボトムプレート、トッププレート夫々の表面に耐蝕性酸化皮膜を予め形成してあることを特徴とするバッチ式アッシング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 4/00 A