特許

J-GLOBAL ID：200903075944612403

薄膜半導体太陽電池

発明者： 岩井 梓 ,  下田 寛嗣 ,  塩崎 篤志 ,  中川 克己 ,  山下 敏裕 ,  遠山 上
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349592
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204534
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 表面電極と金属基体の短絡を防止して信頼性を向上させ、しかも量産が可能な太陽電池を提供することである。【構成】 金属基体110、裏面反射層120、半導体接合層130および表面電極140を積層し、前記裏面反射層にAgまたはAgを主成分とする層121を含んでなる薄膜半導体太陽電池において、透明絶縁体とAgを除く金属からなる混合層122が、前記AgまたはAgを主成分とする層の半導体接合層側に備えられてなる。

請求項（抜粋）：

金属基体上に、裏面反射層、半導体接合層および表面電極を順次積層し、前記裏面反射層に、AgまたはAgを主成分とする材料よりなる層を含んでなる薄膜半導体太陽電池において、透明絶縁体と金属(ただし、Agを除く)とからなる混合層が、前記AgまたはAgを主成分とする材料からなる層の半導体接合層側に備えられてなることを特徴とする薄膜半導体太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 F