特許
J-GLOBAL ID：200903075945842593
ショットキーバリアダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261491
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085705
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】順電圧の増大を招くことなく逆漏れ電流を抑えたSBDを、容易に、しかも安定して製造できる方法を提供する。【解決手段】pガードリング領域20と酸化膜21の形成後に、?@水素雰囲気、またはシリコンを含む還元雰囲気中で熱処理を施し、nエピタキシャル層11の表面層に低濃度領域22を形成する。?Anエピタキシャル層11上に、アンドープのポリシリコン膜50を堆積した後、還元雰囲気中で熱処理をおこない、nエピタキシャル層11からポリシリコン膜50へのドーパントの拡散を促し、更に酸化して除去した後、電極を設ける。?Bnエピタキシャル層11上に、アンドープのアモルファスシリコン膜70を堆積した後、還元雰囲気中で熱処理して結晶化させ、その結晶化した膜上に電極を設ける。
請求項（抜粋）：
高不純物濃度の半導体基板(下地層)上にエピタキシャル層と、そのエピタキシャル層より不純物濃度の低い低濃度領域とを有し、その低濃度領域の表面にショットキー接合を形成する電極を設けたショットキーバリアダイオードの製造方法において、還元雰囲気で高温アニールすることにより、エピタキシャル層の表面に低濃度領域を形成し、その低濃度領域表面へのショツトキー電極の形成をおこなうことを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。
FI (2件)：
H01L 29/48 P
, H01L 29/48 G
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 4M104FF02
, 4M104FF13
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH20
