特許
J-GLOBAL ID:200903075945973760

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-020979
公開番号(公開出願番号):特開2008-187607
出願日: 2007年01月31日
公開日(公表日): 2008年08月14日
要約:
【課題】マイクロフォンチップや圧力センサチップ等の半導体センサチップに対する環境要素の影響を低減すると同時に小型化を図る。【解決手段】中空の空洞部Sを有するハウジング5内に圧力変動を検出する半導体センサチップ7及び該半導体センサチップ7を駆動制御するための半導体チップ9を設け、前記ハウジング5のうち半導体センサチップ7及び半導体チップ9を搭載する搭載面17aに前記空洞部Sを外方に連通させる開口部19を開口させた構成の半導体装置1であって、前記半導体チップ9の少なくとも一部が、前記開口部19の上方に配置されることを特徴とする半導体装置1を提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
中空の空洞部を有するハウジング内に圧力変動を検出する半導体センサチップ及び該半導体センサチップを駆動制御するための半導体チップを設け、前記ハウジングのうち半導体センサチップ及び半導体チップを搭載する搭載面に前記空洞部を外方に連通させる開口部を開口させた構成の半導体装置であって、 前記半導体チップの少なくとも一部が、前記開口部の上方に配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H04R 1/02 ,  H01L 29/84
FI (2件):
H04R1/02 106 ,  H01L29/84 Z
Fターム (11件):
4M112AA06 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112FA08 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01 ,  5D017BC15 ,  5D021DD01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許出願公開第2006/0116180号明細書

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