特許

J-GLOBAL ID：200903075950217850

高分子結晶の製造方法及び高分子結晶育成装置

発明者： 北野 博史 ,  安達 宏昭
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  安達 宏昭 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  高野 和文 ,  井上 豪 ,  松村 浩由 ,  村上 聡
代理人 (1件)： 細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-261541
公開番号（公開出願番号）：特開2006-076820
出願日： 2004年09月08日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 不良部分のない大きな高分子単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 培養液中で、ニワトリ卵白リゾチームの単結晶を成長させた(a)、この単結晶の一部を、波長193nmの固体紫外短パルスレーザ光を照射することによりアブレーション除去した(b)、その後再度培養を開始したところ、加工面を起点にして結晶が再成長し、大きな結晶を得ることができた(c)。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

高分子結晶を製造する過程において、前記高分子結晶の育成中に、あるいは一旦前記高分子結晶の育成を中止し、当該高分子結晶のうち不要部分を紫外短パルスレーザ光の照射により加工し、その後育成する過程を含むことを特徴とする高分子結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/58

FI (1件)：

C30B29/58

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BF04 ,  4G077BF05 ,  4G077CB02 ,  4G077CC05 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA20