特許
J-GLOBAL ID：200903075952341737

実質的に平坦な膜を形成する方法

発明者：
ジョージ エル カーバー

ジョージ エル カーバー について


出願人/特許権者：
ティアールダブリュー インコーポレイテッド

ティアールダブリュー インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348477
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330937
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 高性能の超伝導集積回路の製造及びトンネル接合の製造に使用するための非常に滑らかな実質的に平坦な膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 低周波ACバイアス電圧が基体に印加され、そして二酸化シリコンのようなスパッタされるターゲット物質を使用して、非常に滑らかな実質的に平坦なフィルム、特に、酸化物フィルム及び金属フィルムを効果的に形成する。表面の粗さが約0.1ナノメータ未満の酸化物フィルムのような膜が裸の即ち未被覆の基体に形成される。又、表面の粗さが約1.0ナノメータ未満の膜が導電性の即ち被覆された基体に形成される。
請求項（抜粋）：
反応チャンバ内に基体を配置し、基体と対向関係に配置したターゲット物質を反応チャンバ内に設け、反応チャンバにガスを導入し、上記ガスからプラズマを発生するに充分なエネルギーでターゲットに第1電力ソースを印加し、ACバイアス電圧を有する第2電力ソースを基体に印加し、ACバイアス電圧は、約10KHzないし約100KHzの範囲の周波数を有し、基体に付着させるための粒子をターゲットから発生させ、そして有効量のターゲット粒子を基体に付着して、実質的に平坦な膜を基体に形成するという段階を備えたことを特徴とする実質的に平坦な膜を形成する方法。
IPC (5件)：
C23C 14/40 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (5件)：
C23C 14/40 ,  C23C 14/02 Z ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 39/24 ZAA B
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • 特開平4-354867
  • 特開昭63-034923
  • 特開昭63-157862
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