特許

J-GLOBAL ID：200903075961286102

EEPROMおよびかかるEEPROMを含む論理LSIチップ

発明者： 大崎 勝彦
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 谷 義一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334190
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 標準のCMOSプロセスで簡単に製造できるEEPROMセルを提供することである。【構成】 本発明のEEPROMセルは、第1導電型の半導体基板に形成され、第2導電型の通電領域ならびにゲート電極を有する第1導電型の第1MOSトランジスタ、この基板に設けられた第2導電型のウエル、このウエル上に絶縁層を介して形成されたプレート電極、およびこのプレート電極に隣接してウエルに形成された第1導電型の領域を有する。第1MOSトランジスタのゲート電極およびプレート電極は共通に接続され、フローティングゲートとして働く。ウエルはコントロールゲートとして働く。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板に形成され、第2導電型の通電領域およびゲート電極を有する第1MOSトランジスタと、上記基板に設けられた上記第2導電型のウエルと、上記ウエル上に絶縁層を介して形成されたプレート電極とを含み、上記第1のMOSトランジスタのゲート電極および上記プレート電極が共通に結合されてフローティング・ゲートを形成し、上記ウエルがコントロールゲートとして働くことを特徴とするEEPROMセル。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-054970
  
• 特開平4-057293
  
• 特開平2-151073