特許

J-GLOBAL ID：200903075965868165

気相結晶成長装置

発明者： 小野 健一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077140
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 気相結晶成長装置において、反応ガスのもつ温度勾配に起因するウェハ面内の結晶組成分布を改善する。【構成】 高周波加熱によるウェハ支持体6に空洞7を設け、ウェハ支持体6の体積(熱容量)を上流側〜下流側で変化させる。【効果】 ウェハ支持体6において、反応ガス4上流から下流にかけて温度が低くなるような温度勾配が得られ、ウェハ3上での反応ガス4の分解率がほぼ均一化される。

請求項（抜粋）：

高周波電流により加熱されるウェハ支持体上のウェハに反応ガスを供給して、所望の組成比を有する結晶を成長させる気相結晶成長装置において、上記ウェハ上を通過する反応ガスの温度勾配を打ち消すような所定の温度勾配を有することを特徴とする気相結晶成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/365

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-316940
  
• 特開昭58-135633
  
• 特開昭54-038237
  
• 特開平1-259525