特許

J-GLOBAL ID：200903075974056122

ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法

発明者： 中山 隆雄
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240760
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059940
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 微細素子の製作に際してフォトリソグラフィによるパターニングを施すことなく、低コストで簡易に半導体素子、集積回路、画像ディスプレー用デバイス等の微細素子を作製するための基板、該基板の作製方法、及び該基板を用いる像状薄膜形成方法を提示すること。【解決手段】 活性光の照射又は熱の印加によって親水性化する材料を表面に有する原板12上にパターン状又は逆パターン状の活性光照射又は熱印加を行って親水性化することによって、所定の流動体16に対して親和性のある微小領域が前記流動体に対して親和性のない非親和性領域に囲まれて配列してなる極性分布パターン13を形成させて、該親和性領域が該流動体を受容可能としたことを特徴とするミクロファブリケーション用基板及びその基板を用いる像状薄膜形成方法。

請求項（抜粋）：

活性光の照射又は熱の印加によって親水性化する材料を表面に有する原板上にパターン状又は逆パターン状の活性光照射又は熱印加を行って親水性化することによって、所定の流動体に対して親和性のある微小領域が前記流動体に対して親和性のない非親和性領域に囲まれて配列してなるパターンを形成させて、該親和性領域が該流動体を受容可能としたことを特徴とするミクロファブリケーション用基板。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786 ,  B41J 2/01

FI (5件)：

H01L 21/288 Z ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 626 C ,  B41J 3/04 101 Z

Fターム (52件)：

2C056EA24 ,  2C056FA10 ,  2C056FB01 ,  2C056HA42 ,  4M104AA10 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104GG09 ,  5F033GG00 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH14 ,  5F033HH36 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR03 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033SS27 ,  5F033SS30 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX00 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE41 ,  5F110FF21 ,  5F110GG41 ,  5F110HK01 ,  5F110HK31