半導体レーザ装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258613
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112579
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】反射、透過の連続した分布を端面に持つ半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】端面9に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜10aと、反射率を制御するための光学薄膜11aとを有する半導体レーザ装置であって、前記端面保護膜10aが連続的に変化する膜厚を有し、且つ前記光学薄膜11aが一定の膜厚を有してなる。

請求項（抜粋）：

端面に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜と、反射率を制御するための光学薄膜とを有する半導体レーザ装置であって、前記端面保護膜が連続的に変化する膜厚を有し、且つ前記光学薄膜が一定の膜厚を有してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭59-119890
特開昭62-104093
特開昭59-232477

審査官引用 (10件)

特開昭59-119890
特開昭59-119890
特開昭62-104093

全件表示

前のページに戻る