特許
J-GLOBAL ID：200903075985209036
半導体光検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249956
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098172
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】光吸収層を含む単結晶半導体領域の厚さを薄くして、かつ光吸収層での光強度を高めることができる半導体光検出器を提供する。【解決手段】絶縁板1a上にシリコン酸化膜2が埋め込まれたSOI基板1と、そのSOI基板1上に設けられたN型シリコン層3と、そのN型シリコン層3に形成された溝10の中でエピタキシャル成長した光吸収層4と、その光吸収層4上に設けられたP型シリコン層5と、N型シリコン層3及びP型シリコン層5上の略全域に被覆されたシリコン酸化膜7と、を有する。
請求項（抜粋）：
導波路型の半導体光検出器であって、光吸収層となる第1単結晶半導体領域の上側及び下側が、各々第2単結晶半導体領域を介して絶縁膜で挟まれていることを特徴とする半導体光検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 J
, H01L 31/10 A
