特許
J-GLOBAL ID：200903075985430360
気相成長化合物半導体ウェーハの評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033570
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252231
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 気相成長化合物半導体ウェーハの評価を適切に行う。【構成】 Arレーザ4から第1の波長のレーザ光をウェーハ1面にパルス状に当てる過程と、前記第1の波長のレーザ光と共にHeNeレーザ5から第2の波長のレーザ光を前記ウェーハ1面に当てる過程と、前記ウェーハ1面における前記第2の波長のレーザ光の反射率の変化をPINダイオード3により前記ウェーハ1面内で読み取る過程と、を備える。
請求項（抜粋）：
第1の波長のレーザ光をウェーハ面にパルス状に当てる過程と、前記第1の波長のレーザ光と共に、第2の波長のレーザ光を前記ウェーハ面に当てる過程と、前記ウェーハ面における前記第2の波長のレーザ光の反射率の変化を前記ウェーハ面内で読み取る過程と、を備えることを特徴とする気相成長化合物半導体ウェーハの評価方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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