特許

J-GLOBAL ID：200903075986972124

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度膜

発明者： 秋池 利之 ,  後藤 幸平 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179497
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011385
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【目的】 酸素プラズマ耐性、機械特性、誘電率特性等に優れた膜形成用組成物、該組成物を得る。【構成】 (A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物を含む化合物の加水分解物およびその部分縮合物またはいずれか一方R1nSi(OR2)4-n (1)FSi(OR3)3 (2)(R1 、R2およびR3は、同一でも異なっていても良く、それぞれ1価の有機基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)酸触媒を含むことを特徴とする膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物を含む化合物の加水分解物およびその部分縮合物またはいずれか一方R1nSi(OR2)4-n (1)FSi(OR3)3 (2)(R1 、R2およびR3は、同一でも異なっていても良く、それぞれ1価の有機基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)酸触媒を含むことを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (6件)：

C09D183/08 ,  C09D133/00 ,  C09D167/00 ,  C09D169/00 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312

FI (6件)：

C09D183/08 ,  C09D133/00 ,  C09D167/00 ,  C09D169/00 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 C

Fターム (16件)：

4J038CG142 ,  4J038DD002 ,  4J038DE002 ,  4J038DF022 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038JC32 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038PA19 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02