特許

J-GLOBAL ID：200903075989069417

サファイヤ製ダミーウエハの製造方法

発明者： 服部 修
出願人/特許権者： 有限会社遠野精器
代理人 (1件)： 林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233876
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124815
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造の拡散、酸化、蒸着工程に於て温度や流れの条件を均一にするため、物理的及び化学的耐久性の高いサファイヤ製ダミーウエハの製造方法を得ることにある。【構成】 アルミナ(Al2 O3 )からサファイヤの単結晶を作成する(工程101)。作成されたサファイヤの単結晶を作成するウエハの大きさと厚みに合わせサファイヤの円形の板に切断加工する(工程102)。サファイヤの円形の板を外周整形機を用いて外周仕上げを行う(工程103)。外周整形の終わった円形の板の表面の研磨を行なう(工程104)。表面研磨の終わったサファイヤの円形の板を洗浄し(工程105)、サファイヤ製ダミーウエハが完成する(工程106)。

請求項（抜粋）：

サファイヤの原石(21)を用意する工程(工程101)と、サファイヤの原石(21)を円形の板(23)に加工する工程(工程102)と、サファイヤの円形の板(23)の外周を仕上げる工程(工程103)と、外周を仕上げたサファイヤの円形の板(23)の2つの表面を磨く工程(工程104)と、表面を磨いたサファイヤの円形の板(24)を洗浄する工程(工程105)と、を有する事を特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。