特許

J-GLOBAL ID：200903075992566022

ウェハスケールパッケージ構造およびこれに用いる回路基板

発明者： 井上 泰史 ,  杉本 正和 ,  長沢 徳 ,  桶結 卓司 ,  中村 圭
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036518
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】生産性が高く、安価なウェハスケールパッケージ構造を提供する。【解決手段】ウェハ7に、このウェハ7の電極パッド8を再配列させるための回路基板6を一括積層してなるウェハスケールパッケージ構造である。そして、上記回路基板6がチップサイズパッケージ(CSP)ごとに分割可能な回路基板6であって、ポリイミド系樹脂層3からなり、上記ウェハ7と回路基板6との接続が半田バンプ5によって行われ、ウェハ7に回路基板6を接着材4により張り合わせている。

請求項（抜粋）：

ウェハに、このウェハの電極パッドを再配列させるための回路基板を一括積層してなるウェハスケールパッケージ構造であって、上記回路基板がチップサイズパッケージ(CSP)ごとに分割可能な回路基板であって、ポリイミド系樹脂を主成分とした絶縁層からなり、上記ウェハと回路基板との接続が半田によって行われ、ウェハに回路基板を接着材により張り合わせたことを特徴とするウェハスケールパッケージ構造。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/34 507

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 1/18 K ,  H05K 3/34 507 C ,  H01L 23/12 L

Fターム (17件)：

4M105AA03 ,  4M105AA16 ,  4M105CC03 ,  4M105CC04 ,  4M105CC11 ,  4M105CC16 ,  4M105CC31 ,  5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AB05 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E336AA04 ,  5E336BB12 ,  5E336BC28 ,  5E336CC34 ,  5E336CC58