特許

J-GLOBAL ID：200903075994560722

ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法

発明者： 中村 幸治 ,  中島 徹人 ,  堀川 英明 ,  八重樫 浩樹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284270
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129966
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 端面光学損傷をなくし、高信頼性のウィンドウ構造半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法において、n-GaAs基板1上にメサを形成する工程と、前記基板1上にn-AlGaAsクラッド層2、活性層3、p-AlGaAsクラッド層4、p-GaAsコンタクト層5、n-AlGaAsクラッド層6を順次形成する工程と、メサの上部を活性層領域7、窪み部を窓領域8となし、この窪み部8をマスクして、活性層領域7上のp-GaAsコンタクト層5上のn-AlGaAsクラッド層6をエッチングする工程とを施し、活性層領域7のp-GaAsコンタクト層5を窓領域8で導波路層とする。

請求項（抜粋）：

(a)基板上にメサを形成する工程と、(b)前記基板上に第1導電型のクラッド層、活性層、第2導電型のクラッド層、コンタクト層、第1導電型のクラッド層を順次形成する工程と、(c)前記メサの上部を活性層領域、窪み部を窓領域となし、該窪み部をマスクして、前記活性層領域上のコンタトク層上の第1導電型のクラッド層をエッチングする工程とを施し、(d)前記活性層領域のコンタクト層を前記窓領域で導波路層とするようにしたことを特徴とするウィンドウ構造半導体レーザの製造方法。