特許

J-GLOBAL ID：200903075999924722

シリコン薄膜の製造方法及びこの方法を用いた太陽電池の製造方法

発明者： 中村 直樹
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-048696
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 多結晶粒界が存在せず、単結晶シリコン並みの光吸収特性を有し電気抵抗が低いSi薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 蒸着源12に電子ビーム14を照射して基板10にSi薄膜を蒸着する際に、アシストイオン源18から基板10の面に垂直にアシストイオンを照射する。

請求項（抜粋）：

電子ビーム蒸着により基板上にシリコン薄膜を形成する際に、同時にアシストイオンを照射するシリコン薄膜の製造方法であって、前記アシストイオンのエネルギが300eVから1500eVであり、基板に堆積するシリコン原子数に対する照射されるアシストイオンの数の比であるI/A比が0.2から1.1であることをことを特徴とするシリコン薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/06 504 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/30 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

C30B 29/06 504 Z ,  C23C 14/14 A ,  C23C 14/30 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 31/04 X