特許
J-GLOBAL ID:200903076003590412

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-334908
公開番号(公開出願番号):特開平7-201895
出願日: 1993年12月28日
公開日(公表日): 1995年08月04日
要約:
【要約】【目的】本発明の目的は、製品寿命の長い高信頼性電力制御半導体装置を提供することにある。【構成】半導体素子,金属放熱板,熱応力緩和材,絶縁基板,金属支持板等から構成される半導体装置において、前記金属放熱板または金属支持板の少なくとも一方の部材が高温での材料硬度が室温での硬度の1/2となる軟化温度が350°C以上であるCu合金を用いたことを特徴とする半導体装置。【効果】接合時の金属支持板あるいは金属放熱板の接合時の熱応力による基板の反りを抑制することによって、前記金属放熱板あるいは金属支持板と絶縁板の間の接合部のろう層の割れ,空隙部の発生を少なくすることができる。
請求項(抜粋):
金属支持板上に順次絶縁基板,金属放熱板、及び前記金属放熱板に複数個の熱応力緩和材が搭載され、該熱応力緩和材の上に半導体素子が搭載されている半導体装置において、前記金属放熱板は、その高温での硬度が室温での硬度の1/2となる軟化温度が、前記絶縁基板,金属放熱板,熱応力緩和材,半導体素子の接合温度の内、最も高い接合温度以上であるCu基合金からなることを特徴とする半導体装置。

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