特許
J-GLOBAL ID：200903076005989967
有機EL素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-085297
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284248
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】真空蒸着法によるメリットを有しつつ、使用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた有機EL素子を製造する。【解決手段】有機材料を用いてp層、n層又は発光層を真空蒸着法により形成して有機EL素子を得る場合、真空蒸着時に基板1を有機材料の融点の0.7〜0.9倍の温度に加熱する。
請求項（抜粋）：
基板上に第1電極層とp層と発光層と第2電極層とを順次形成するか、基板上に第1電極層と発光層とn層と第2電極層とを順次形成するか、又は基板上に第1電極層とp層と発光層とn層と第2電極層とを順次形成するに際し、有機材料を用いて該p層、該n層又は該発光層を真空蒸着法により形成して有機EL素子を得る有機EL素子の製造方法であって、前記真空蒸着時には、前記基板を前記有機材料の融点の0.7〜0.9倍の温度に加熱することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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