特許
J-GLOBAL ID:200903076006582798
集積電力増幅回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
土橋 皓
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-515594
公開番号(公開出願番号):特表2007-505510
出願日: 2004年06月17日
公開日(公表日): 2007年03月08日
要約:
従来の電力増幅技術は、かなりのチップ面積を使用し、より高い製造費用および大きなパッケージ面積を伴う多重集積回路技術を用いている。新しい構造が提示され、そこではいくつかの検知信号および制御信号が用いられて、集積半導体電源増幅に伴う基本的な性能指数についての精密で著しい制御を提供する。これらの検知信号および制御信号がどこにかつどのように用いられるかは、最も製造し易くかつ最も経済的な集積増幅器を達成するために決定的である。本発明の第1の実施の形態によると、3段階電力増幅用集積回路に係る二重のフィードバック低電力調整回路が提供されている。本発明の第2の実施の形態によると、3段階電力増幅集積回路に係る低RF出力信号電力調整を行う電流源フィードバック回路が提供されている。本発明の第3の実施の形態によれば、3段階電力増幅集積回路に係る集積対数電流検出回路の形態の検出回路が提供されている。本発明の3つの実施の形態では先行技術の限界を乗り越えて利益がある。【選択図】図4
請求項(抜粋):
RF入力信号を受信する入力ポートと、
前記RF入力信号の増幅型であるRF出力信号をそこから供給する出力ポートと、
制御信号を受信する制御ポートと、
供給電圧を受ける供給電圧入力ポートと、
前記電力増幅回路の温度を検知し、かつそれに応じて温度信号を供給する温度検知回路と、
電圧電源のポテンシャルを検知し、かつそれに応じて検知信号を供給する電圧検知回路と、
前記RF入力信号から導かれた信号および前記RF入力信号の1を増幅して第1の増幅RF信号を形成する第1のゲインを有する第1の増幅ステージと、
前記第1の増幅RF信号から導かれた信号および前記第1の増幅の1を増幅して前記RF出力信号を形成する第2のゲインを有する第2の増幅ステージとを有し、
前記第1の増幅ステージは、前記温度信号および前記検知信号及び制御信号の少なくとも1を受信しかつそれに応じて前記第1のゲインを変化させ、前記第2の増幅ステージは、前記制御信号を受信し、かつ前記温度信号および前記検知信号の少なくとも1を受信せずにそれに応じて前記第2のゲインを変化させる電力増幅回路。
IPC (3件):
H03F 3/213
, H03G 3/10
, H03F 1/30
FI (4件):
H03F3/213
, H03G3/10 A
, H03F1/30 A
, H03F1/30 B
Fターム (26件):
5J100AA25
, 5J100BA01
, 5J100BB01
, 5J100BB02
, 5J100BB11
, 5J100BB21
, 5J100BC02
, 5J100CA18
, 5J100FA01
, 5J500AA01
, 5J500AA41
, 5J500AC02
, 5J500AC04
, 5J500AF10
, 5J500AH02
, 5J500AH10
, 5J500AH25
, 5J500AH29
, 5J500AK01
, 5J500AK07
, 5J500AK26
, 5J500AM08
, 5J500AS13
, 5J500NC04
, 5J500NF01
, 5J500WU08
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