特許
J-GLOBAL ID:200903076014828160

トレンチ分離を有する半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-359333
公開番号(公開出願番号):特開2003-158180
出願日: 2001年11月26日
公開日(公表日): 2003年05月30日
要約:
【要約】【課題】 応力が緩和できるとともに、チャネルカット層を制御よく形成でき、良好な分離特性を得ることができるように改良された、トレンチ分離を有する半導体装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 半導体基板1の表面にトレンチ6が設けられている。トレンチ6内に空隙ができるように、その一部がトレンチ6に嵌まり込み、かつ上方に延びる絶縁膜8が設けられている。トレンチ6の上端の径は、絶縁膜8の径よりも小さくされている。
請求項(抜粋):
半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられたトレンチと、前記トレンチ内に空隙ができるように、その一部が該トレンチに嵌まり込み、かつ上方に延びる絶縁膜と、前記トレンチの上端の径は、前記絶縁膜の径よりも小さくされている、トレンチ分離を有する半導体装置。
IPC (6件):
H01L 21/76 ,  H01L 21/764 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78
FI (6件):
H01L 27/08 331 A ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 S ,  H01L 21/76 A ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 R
Fターム (73件):
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA77 ,  5F032AA78 ,  5F032AA82 ,  5F032AC01 ,  5F032BA01 ,  5F032BA05 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA44 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BF04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048BH07 ,  5F048DA25 ,  5F140AA14 ,  5F140AA24 ,  5F140AA34 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BF58 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK01 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CA03 ,  5F140CB02 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE20

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