特許

J-GLOBAL ID：200903076015842751

半導体装置のウェハー構造

発明者： 張 世 演 ,  趙 英 珍 ,  張 東 煕 ,  金 鉦 烈
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059425
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139327
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 ウェハーのレーザーマーク部分の溝内に残っている感光膜を完全に洗浄されるようにし、後工程のパターン化工程で良好な微細パターンの形成を可能とするとともに、感光膜の粉塵によるG-欠陥の発生を防ぐことが期待できる半導体装置のウェハー構造を提供すること。【解決手段】 環状のラウンド領域14aと一部分が一直線上に切断されたフラット領域14bを備え、そしてウェハーバーコードであるレーザーマーク部分12が前記ウェハーのフラット領域14bに対向する上部ラウンド領域14a内に形成され、レーザーマーク部分12のウェハーバーコードは約2μm程度の深さを有する溝からなる。また、レーザーマーク部分12はソフトマーキングにより形成される。

請求項（抜粋）：

半導体装置の半導体基板として使用される、環状のラウンド領域と、一部分が一直線上に切断されたフラット領域とを備えた半導体装置のウェハー構造において、ウェハーバーコードであるレーザーマーク部分が前記ウェハーのフラット領域と対向する上部ラウンド領域内に形成されていることを特徴とする半導体装置のウェハー構造。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-044207
  
• 特開平3-183113
  
• 特開昭60-064425
  
• 特開平4-137744