特許
J-GLOBAL ID：200903076016118372
高純度セラミックス部品の接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001000724
公開番号（公開出願番号）：WO2002-060834
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月08日
要約：
本発明は、高純度セラミックス部品を簡単に接合でき、高温環境下でも耐え得る高強度な接合が可能で複雑形状にも対応可能な接合方法の提供を目的とする。本発明は、高純度セラミックス部品10(1)、10(2)を、接合部位13(1)、13(2)の密着性を確保するか、間隔を保持して配置し、表面にCVD-SiC被膜23を形成して接合体30とする高純度セラミックス部品の接合方法である。
請求項（抜粋）：
複数のセラミックス被接合部品を、所望の接合部位を近接せしめて配置し、前記セラミックス被接合部品の表面に化学気相成長法によりSiC固定被覆層を形成して前記セラミックス被接合部品を接合することを特徴とする高純度セラミックス部品の接合方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B37/00 Z
, C04B41/87 G
