特許

J-GLOBAL ID：200903076020495687

半導体発光素子

発明者： 山本 直
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182889
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036477
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 エッチングストップ層の臨界厚に制約されることなく、充分に高い信頼性を得ることのできるエッチングストップ層を構成することができるようにして、動作特性にすぐれた半導体発光素子を得ることができるようにする。【解決手段】 基板11上に、少なくとも第1導電型のクラッド層13と、活性層14と、第2導電型の第1のクラッド層15Aと、活性層14のバンドギャップより大とされた歪みエッチングストップ層19と、第2導電型の第2のクラッド層15Bとが順次積層され、歪みエッチングストップ層19と接して、活性層14のバンドギャップより大とされ、歪みエッチングストップ層19とは逆の歪みによる歪補償層21が積層され、ストライプ状の電流通路を挟んでその両側に電流狭窄層18が埋め込まれる溝17が第2導電型の第2のクラッド層15B側からエッチングストップ層19に至る深さに形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第1のクラッド層と、前記活性層のバンドギャップより大とされた歪みエッチングストップ層と、第2導電型の第2のクラッド層とが順次積層され、前記歪みエッチングストップ層と接して、前記活性層のバンドギャップより大とされた、上記歪みエッチングストップ層とは逆の歪みによる歪補償層が積層され、ストライプ状の電流通路を挟んでその両側に電流狭窄層が埋め込まれる溝が前記第2導電型の第2のクラッド層側から前記エッチングストップ層に至る深さに形成されてなることを特徴とする半導体発光素子。