特許

J-GLOBAL ID：200903076020539692

窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 山本 茂
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-211062
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055816
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】発光素子の側面に反射膜を設け、素子単品で側面方向に発光する光を反射膜により積極的に上面に取り出すようにしたものである。【解決手段】基板2の表面側に窒化物系化合物半導体層4、5を形成させた窒化物系化合物半導体ウエハ1を用いた発光素子において、発光層6の外周に形成される側面に発光波長を反射させる反射膜12を設け、素子の指向特性が変化し、製品での反射枠を形成しなくても側面方向の光を上面に取出すことが可能としたものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光波長に対して透光性を有する基板の表面側に、少なくとも2層以上の窒化物系半導体層を形成させた窒化物系化合物半導体ウエハを用いた発光素子において、発光層の外周に形成された側面に発光波長を反射する反射膜を設けたことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA04 ,  5F041AA06 ,  5F041AA47 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77