特許
J-GLOBAL ID：200903076022469110
高融点金属膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280138
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121358
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】半導体基板に付着するダストを抑制した信頼性の高い高融点金属膜を製造する。【構成】同一真空装置内で、半導体基板上に、チタンターゲットをアルゴンガスを用いてスパッタリングする方法によりチタン膜を成膜したのち、このチタン膜上にチタンターゲットをアルゴンガスと窒素ガスを用いてスパッタリングする方法により窒化チタン膜を連続的に堆積する。これにより、窒化チタン膜のみが成膜されるプロセスチャンバーによる工程をなくし、このプロセスチャンバー内の防着シールドから窒化チタン膜がはがれおちるのをなくして、ダストの発生を抑え、高い信頼性を持った高融点金属膜を形成する。
請求項（抜粋）：
同一真空装置内で、半導体基板上に、チタンターゲットをアルゴンガスを用いてスパッタリングする方法によりチタン膜を形成する工程と、上記チタン膜の上に、上記チタンターゲットをアルゴンガスと窒素ガスを用いてスパッタリングする方法により窒化チタン膜を形成する工程を備えたことを特徴とする高融点金属膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285 301
