特許
J-GLOBAL ID：200903076026811548
半導体集積回路素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279598
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121432
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置におけるLDD構造のNチャネルMOSトランジスタの構成に関するもので、出力バッファー部の前記MOSトランジスタの静電耐圧の向上を図ることを目的とするものである。【構成】 本発明は前記目的のために、出力バッファー部のNチャネルMOSトランジスタのドレインのn- 層7にはリンとヒ素を注入し、出力バッファー部以外のNチャネルMOSトランジスタのドレインのn- 層5にはリンのみの注入としたものである。
請求項（抜粋）：
LDD構造のNチャネルMOSトランジスタを有する半導体集積回路素子において、出力バッファー部の前記NチャネルMOSトランジスタのドレイン部の構成要素であるn- 層はヒ素とリンが含まれた層で形成されており、前記出力バッファー部以外のNチャネルMOSトランジスタのドレイン部としてのn- 層はリンのみ含まれた層で形成されていることを特徴とする半導体集積回路素子。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
