特許

J-GLOBAL ID：200903076030976322

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 今 真人 ,  石▲崎▼ 守
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316393
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123698
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】Inを含まない環境負荷の小さい非単結晶酸化物半導体薄膜を活性層として形成した薄膜トランジスタとその製造方法を提供することである。【解決手段】フレキシブル基板上に、ZnGa2Ox(3≦x≦4)、またはSnGa2Ox(4≦x≦5)のいずれかからなる薄膜を、ZnGa2O4またはSnGa2O5からなるターゲットを用い、室温でスパッタリング法により成膜し、Inを含まない薄膜トランジスタの活性層を形成することで解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ZnGa2Ox(3≦x≦4)薄膜からなる活性層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/08

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C23C14/08 K

Fターム (34件)：

4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5F110AA30 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33