特許
J-GLOBAL ID：200903076031414514

パターン化しない連続磁性層にデータを記憶するシステムおよび方法

発明者：
ステュアート・スティーヴン・パプワース・パーキン

ステュアート・スティーヴン・パプワース・パーキン について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-297247
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123617
出願日： 2004年10月12日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】メモリ素子のスイッチングがメモリ素子の形状およびサイズの影響を受けず、はるかに強い局所磁場を生成することができ、それによって、温度変動に対して十分な磁気安定性を有するより小さな磁気素子が可能になるMRAM構成の要求を満たす。【解決手段】パターン化しない磁性被膜上にデータを書き込むために強磁性材料中の磁壁の固有な本来の特性を利用して、パターン化しない磁性被膜上にデジタル情報を記憶する。MTJ(磁気トンネル接合部)を利用して、このパターン化しない磁性被膜からデータを読み出す。十分な温度安定性を実現するために、これらの磁気領域の向きを変更するのに必要とされる磁場は、導線を流れる電流によってもたらされるものよりもはるかに強くすることができる。このようなより強い磁場は、2つの磁壁の境界で生成される磁壁漏れ磁場を用いることによって実現される。これらの磁気領域は、隣接する磁性導線内の磁壁からの漏れ磁場を用いることによって書き込まれる。これらの導線は、磁気記憶領域の書込みが行われるべき磁気記憶層の近くにもっていかれる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁性被膜と、 前記磁性被膜の近傍に配設されたトラックを有する少なくとも1つの書込み素子とを備えるデータ記憶デバイスであって、 前記トラック内の磁壁からの漏れ磁場を用いてデータ領域内の磁気モーメントの方向を選択的に変更することによって、前記磁性被膜の前記データ領域にデータ・ビットを選択的に書き込むことができる、データ記憶デバイス。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 150 ,  H01L43/08 Z
Fターム (4件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA31
引用特許：
出願人引用 (15件)
  • 米国特許出願第10/458,554号
  • 米国特許第6,452,240号
  • 米国特許第5,465,185号
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審査官引用 (3件)

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