特許
J-GLOBAL ID：200903076031511048
不揮発性半導体記憶装置およびそのリフレッシュ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-350178
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173277
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 従来提案されている不揮発性メモリのリフレッシュ方法は、リフレッシュに要する時間が非常に長くなってしまうという課題があった。【解決手段】 同一列にある複数のメモリセルのドレインが接続されたデータ線毎に読出しデータを保持可能なラッチ回路を設けるとともに、同一ワード線に接続された同一行の複数メモリセルのコントロールゲートに読出しレベルよりも所定量高いレベルと所定量低いレベルの電圧を印加してそれぞれデータの読出しを行なって、上記2つのレベル間にしきい値のあるメモリセルを検出し該メモリセルのデータをワード線単位で書き戻すようにしたものである。
請求項（抜粋）：
しきい値が2以上の状態をとることにより1ビット以上のデータを記憶する複数の記憶素子がマトリックス状に配置されるとともに、同一列の複数の記憶素子のドレインが接続されたデータ線毎にラッチ回路が設けられ、該ラッチ回路は対応するデータ線と接続・切断可能に構成された不揮発性半導体記憶装置において、同一ワード線に接続された同一行の複数の記憶素子のコントロールゲートに通常読出しレベルよりも所定量高いレベルと所定量低いレベルの電圧を印加してそれぞれデータの読出しを行なって、上記2つのレベル間にしきい値のある記憶素子を検出し該記憶素子のデータをワード線単位で書き戻すようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のリフレッシュ方法。
Fターム (4件)：
5B025AA01
, 5B025AC01
, 5B025AE01
, 5B025AE04
