特許

J-GLOBAL ID：200903076032052284

超微細イオン化気泡発生方法及び発生装置及び原水処理装置

発明者： 渡邉 光弘 ,  石井 恒雄 ,  河二 吉秀 ,  山口 英輝
出願人/特許権者： 株式会社オプトクリエーション ,  株式会社テドリ
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288760
公開番号（公開出願番号）：特開2007-098217
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】簡単な構造で超微細イオン化気泡を浄化処理されるべき原水内で連続的に且つ大量に発生させ、大量の処理水を浄化することができる超微細イオン化気泡発生方法及び発生装置及び該発生装置を用いた原水処理装置を提供する。【解決手段】高圧水を処理されるべき原水の流れの中に噴射して超微細イオン化気泡発生方法であって、前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第1の高圧水噴射孔、及び該第1の高圧水噴射孔の下流に配置され、前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第2の高圧水噴射孔を少なくとも備え、前記第1の複数の高圧水噴射孔及び前記第2の複数の噴射孔から高圧水を前記処理されるべき原水中に直接噴射して、超微細イオン化気泡を前記処理されるべき原水中に発生させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

高圧水を処理されるべき原水の流れの中に噴射して超微細イオン化気泡を発生させる超微細イオン化気泡発生方法であって、 前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第1の高圧水噴射孔、及び該第1の高圧水噴射孔の下流に配置され、前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第2の高圧水噴射孔を少なくとも備え、 前記第1の複数の高圧水噴射孔及び前記第2の複数の高圧水噴射孔から高圧水を前記処理されるべき原水中に直接噴射して、超微細イオン化気泡を前記処理されるべき原水中に発生させることを特徴とする超微細イオン化気泡発生方法。

IPC (5件)：

C02F 1/34 ,  C02F 1/48 ,  C02F 1/72 ,  C02F 1/50 ,  B01F 3/04

FI (11件)：

C02F1/34 ,  C02F1/48 A ,  C02F1/72 Z ,  C02F1/50 510A ,  C02F1/50 520F ,  C02F1/50 531Q ,  C02F1/50 540B ,  C02F1/50 550D ,  C02F1/50 560G ,  C02F1/50 560Z ,  B01F3/04 Z

Fターム (31件)：

4D037AA06 ,  4D037BA26 ,  4D037BB07 ,  4D037CA05 ,  4D037CA11 ,  4D037CA16 ,  4D050AA06 ,  4D050AB06 ,  4D050BB09 ,  4D050BD01 ,  4D050BD03 ,  4D050BD04 ,  4D050BD06 ,  4D050CA11 ,  4D061DA04 ,  4D061DB01 ,  4D061DB06 ,  4D061EA18 ,  4D061EC01 ,  4D061EC05 ,  4D061EC06 ,  4D061EC11 ,  4D061EC19 ,  4D061FA10 ,  4D061FA16 ,  4G035AB15 ,  4G035AB26 ,  4G035AB54 ,  4G035AC18 ,  4G035AC19 ,  4G035AE19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ナノ気泡の生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-145325   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノバブルの利用方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-288963   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所