特許
J-GLOBAL ID：200903076033547198
強誘電体メモリ素子の製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-323700
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151761
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、良好な特性を有する強誘電体薄膜を得るための熱処理工程の際、下地に熱的ダメージを与えず、同時にピンホールなどの欠陥ができにくい強誘電体不揮発性メモリ(FRAM)の製造方法を提供する。【構成】 非晶質部分を有するメモリキャパシタの強誘電体薄膜を熱処理する工程を含む強誘電体メモリ素子の製造方法において、該熱処理を電子ビーム加熱によって行うことを特徴とするメモリ素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
非晶質部分を有するメモリキャパシタの強誘電体薄膜を熱処理する工程を含む強誘電体メモリ素子の製造方法において、該熱処理を電子ビーム加熱によって行うことを特徴とするメモリ素子の製造方法。
IPC (2件)：
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