特許

J-GLOBAL ID：200903076035834941

半導体装置の製造方法

発明者： 米田 博之 ,  中野 雄司 ,  竹中 伸之 ,  川野 裕行 ,  広浜 和浩 ,  足立 浩一郎 ,  鈴木 克典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267381
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291212
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【構成】 被加工基板1上に少なくとも一層の被エッチング膜5を形成し、被エッチング膜5を所定形状にパターニングする際、被エッチング膜5のエッチング面積の変化に応じてエッチング条件を変化させる半導体装置の製造方法。【効果】 ドライエッチングを行う場合、被エッチング膜5のエッチング面積の変化に応じて、エッチング条件を変化させることによって、エッチングガス中の堆積用ガスの側壁保護効果を高めて、凹凸の多い被加工素子基板1上にも寸法シフトが無く、微細で正確な加工を行うことが可能となる。

請求項（抜粋）：

被加工基板上に少なくとも一層の被エッチング膜を形成し、該被エッチング膜を所定形状にパターニングする際、前記被エッチング膜のエッチング面積の変化に応じてエッチング条件を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-261828
  
• 特開平3-184332
  
• 特開昭58-147033
  
• 特開昭57-117241