特許
J-GLOBAL ID：200903076041246156
LD-MOSトランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045416
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241985
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 小なる素子占有面積にて高耐圧なLD-MOSトランジスタスを提供することを目的とする。【構成】 導電ゲート層及びドレイン拡散領域夫々に付着形成されている絶縁体層の下面、及びこのドレイン拡散領域の各々に付着してリンが添加された拡張ドレイン領域を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のシリコン半導体基板の表面に形成された前記第1導電型とは逆の第2導電型のソース領域、及び前記ソース領域との間にチャンネル領域を形成する前記第2導電型のドレイン領域、並びに前記チャンネル領域上にゲート絶縁体層を介して延滞する導電ゲート層とを有するLD-MOSトランジスタであって、第1導電型であって前記ソース領域を囲みかつ前記シリコン半導体基板よりも不純物濃度の高いボディ領域と、前記ドレイン領域に接してかつ前記ソース領域に向かって前記チャンネル領域内に伸張した第2導電型の拡張ドレイン領域と、前記拡張ドレイン領域と前記導電ゲート層との間に介在しかつ前記導電ゲート層よりも厚い付加絶縁体層を有し、前記拡張ドレイン領域は、リンを不純物として添加することにより形成されていることを特徴とするLD-MOSトランジスタ。
引用特許：
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