特許

J-GLOBAL ID：200903076041995264

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 近藤 正隆 ,  林 克彦 ,  山岸 英雄
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242508
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107225
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】薄膜半導体層との接着強度と高い反射率を両立した裏面電極構造を有する薄膜太陽電池の製造方法を提供すること。【構成】絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次積層する薄膜太陽電池の製造方法であって、積層した薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層を積層した後、反応室内において形成した透明導電性金属化合物と金属による隣設する複数のプラズマ領域中を、透明導電性金属化合物側から金属側に向かって前記第1の透明導電性金属化合物層を積層した基板を移動させることによって、薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層と第2の透明導電性金属酸化物層と金属層よりなる裏面電極層を積層する方法である。

請求項（抜粋）：

絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次積層する薄膜太陽電池の製造方法であって、積層した薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層を積層した後、反応室内において形成した透明導電性金属化合物と金属による隣設する複数のプラズマ領域中を、透明導電性金属化合物側から金属側に向かって前記第1の透明導電性金属化合物層を積層した基板を移動させることによって、薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層と第2の透明導電性金属酸化物層と金属層よりなる裏面電極層を積層する薄膜太陽電池の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262097   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-241617
  
• 特開平2-073967
  
• 特開昭62-010809