半導体レーザの設計方法および設計装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213680
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078779
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】不均一な光強度分布に起因する現象を取り入れた半導体レーザの設計を提供する。【構成】設計の対象とする半導体レーザに対して変調成分を含む任意の電流を注入した場合を想定し、計算手順1に従って平均光子密度を計算する。一方、計算手順2、4、5、6、8に従ってレーザ出射端面での電界強度を計算する。計算手順9に従って、変調電流に対する光出力の変動成分を平均光子密度とレーザ出射端面での電界強度の積から計算する。計算手順10に従って対象とする半導体レーザの変調特性を計算する。

請求項（抜粋）：

対象とする半導体レーザの構造及び材料定数を入力するステップと、電流を注入しない場合における電界強度分布を定常状態の結合波方程式から発振条件を用いて求めるステップと、直流電流を注入した場合を考え半導体レーザのレート方程式から平均キャリア密度と平均光子密度を求めるステップと、前記電界強度分布と前記平均光子密度から光子密度の分布を求めキャリア密度分布と実効屈折率分布を求めるステップと、前記実効屈折率分布を考慮して前記結合波方程式を用いて光子密度の分布を導出するステップと、光出力を計算するするステップとを有する、半導体レーザに直流電流を流した場合の半導体レーザの設計方法。

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