特許
J-GLOBAL ID：200903076046717912
EBG構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329538
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147763
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】温度変化等の外的環境条件を変化させることによりバンドギャップを形成する周波数を変化させることができるEBG構造を得る。【解決手段】基板1と、基板1の第一の面に形成された導体2と、基板1の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターン3と、導体2と導体パターン3とを電気的に接続するスルーホール4とから構成されて、基板1として、厚み方向(Y軸方向)と面に平行な方向(X軸方向)とで、温度変化による長さの変化量(熱膨張率)が異なる基板を用いて、温度変化を付与することによって、バンドギャップが生じる周波数を変化させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の第一の面に形成された導体と、前記基板の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターンとからなるEBG構造において、
前記EBG構造を構成する各単位セルがLC並列共振回路を構成しており、
前記基板に付与する外的環境条件を変化させることにより、前記LC並列共振回路のインダクタンス成分およびキャパシタンス成分の少なくともいずれか一方の値が変化する
ことを特徴とするEBG構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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