パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190996
公開番号（公開出願番号）：特開平6-035206
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】化学増幅型レジストによる微細パターンの形成プロセスにおける下地基板の影響を低減し、高解像度のパターンを安定して形成する。【構成】基板11上に炭素を一成分として含有する保護膜12を形成し、この保護膜12上に、ポジ型またはネガ型の化学増幅型レジストからなるレジスト膜13を形成する。次いで、レジスト膜13の所定の領域14を選択的に露光し、更に、所定の温度でベーキングする。このベーキング後のレジスト膜13を現像処理し、露光領域14を選択的に除去または残存させて、夫々ポジ型のレジストパターン16またはネガ型のレジストパターン17を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に炭素を一成分として含有する保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に、(a)露光により酸を発生する化合物、および酸によって分解し得る疎水性基を有し、分解後に親水性基を生じる化合物を含有する感光性組成物、または(b)露光により酸を発生する化合物、ポリマー、および酸の作用によって該ポリマーを架橋させ得る架橋剤を含有する感光性組成物、を主成分とする樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜の所定の領域を選択的に露光する工程と、前記露光後の樹脂膜を所定の温度でベーキングする工程と、前記ベーキング後の樹脂膜を現像処理し、該樹脂膜の露光された領域を選択的に除去または残存させる工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/26 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , G03F 7/11 503 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 361 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-139650
特開平1-155625
特開昭58-212136

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