特許

J-GLOBAL ID：200903076054935252

半導体処理装置

発明者： 影 山 もくじ ,  渡 辺 隆
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173354
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022291
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 内部に載置されたウェーハへの金属汚染を防止し、均質に熱処理しうる半導体処理装置を提供する。【解決手段】 少なくとも1つ以上の孔205が設けられている隔壁204によって上室部202と炉筒部203とに分離された円筒形の縦型熱拡散炉200と、上室部202にガスを供給するガス供給管201とを備えている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つ以上の孔が設けられている隔壁によって上室部と炉筒部とに分離された円筒形の縦型熱拡散炉と、前記上室部にガスを供給するガス供給管とを備えた半導体処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/324 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/22 511

FI (3件)：

H01L 21/324 D ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/22 511 S