特許

J-GLOBAL ID：200903076062071887

半導体発光装置

発明者： 棚橋 俊之 ,  近藤 真人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183228
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 可視光半導体発光装置に関し、電流供給経路の半導体層間に生じるヘテロ障壁を低くしてこの部分の電気抵抗を低減し、動作電流による発熱を防ぐことによって低しきい値特性と高出力特性を得る。【構成】 発光領域への電流供給経路であるp-GaAsキャップ層11とp-(Al<SB>Z </SB>Ga<SB>1-z </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pクラッド層(0<z<1)7の間にp-(Al<SB>r </SB>Ga<SB>1-r </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>P層(0≦r<z)9が形成され、さらに、このp-GaAsキャップ層11とp-(Al<SB>r </SB>Ga<SB>1-r </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>P層9の間にp-In<SB>1-u </SB>Ga<SB>u </SB>As<SB>1-v </SB>P<SB>v </SB>層(0<u<1,0<v<1)10が形成された構成を採用した。この場合、p-In<SB>1-u </SB>Ga<SB>u </SB>As<SB>1-v </SB>P<SB>v </SB>層(0<u<1,0<v<1)10の組成を厚さ方向に徐々に変えて、エネルギバンドが隣接する半導体層のエネルギバンドと滑らかに接続してヘテロ障壁を低減することができる。

請求項（抜粋）：

発光領域の電流供給経路であるp-GaAsキャップ層(11)とp-(Al<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pクラッド層(0<z<1)(7)の間にp-(Al<SB>r </SB>Ga<SB>1-r </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>P層(0≦r<z)(9)が形成され、さらに、該p-GaAsキャップ層(11)とp-(Al<SB>r </SB>Ga<SB>1-r </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>P層(0≦r<z)(9)の間にp-In<SB>1-u </SB>Ga<SB>u </SB>As<SB>1-v </SB>P<SB>v </SB>層(0<u<1,0<v<1)(10)が形成された構成を含むことを特徴とする半導体発光装置。