特許
J-GLOBAL ID：200903076069934341
絶縁ゲート型サイリスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253520
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111324
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】pベース層にエミッタ、ソースの二つのn+ 領域を有し、二つのゲート電極の設けられる絶縁ゲート型サイリスタの総合損失を減らし、安全動作領域を広げる。【構成】トレンチ構造とし、二つのゲート電極あるいは一つのゲート電極をトレンチ内に設けることによりセル密度を増加させる。また、サイリスタ部のほかにIGBT部をつくり並列接続する。あるいは、直列接続のトレンチ構造のMOSFETを積層する。
請求項（抜粋）：
一側に第二導電形のコレクタ層が設けられる第一導電形のベース層の他側に第二導電形のベース層が積層され、その第二導電形ベース層の表面から第一導電形ベース層に達する分離層には絶縁物が充填され、その分離層に接する第二導電形ベース層の表面層には、第一導電形ベース層側から選択的に第一導電形のエミッタ領域およびソース領域が形成され、第二導電形ベース層の第一導電形ベース層とエミッタ領域とにはさまれた部分に面する分離層内にはゲート絶縁膜を介して第一ゲート電極が、エミッタ領域とソース領域とにはさまれた部分に面する分離層内にはゲート絶縁膜を介して第二ゲート電極が絶縁物内にそれぞれ設けられ、エミッタ電極がソース領域および第二導電形ベース層に共通に接触し、コレクタ電極がコレクタ層に接触することを特徴とする絶縁ゲート型サイリスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/74 N
, H01L 29/78 321 J
