特許
J-GLOBAL ID：200903076070044376
メモリ-アレイの両面製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276951
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150816
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 メモリーアレイの両面製造方法を提供し、回路のトポロジーを向上させ、装置の重なり、プロセス上の複雑さおよび製造コストを低減する。【解決手段】 基板12の第1の面上にメモリーアレイの第1の部分110を、その基板の反対側の第2の面上にメモリーアレイの第2の部分150を製造する。メモリーアレイの第1の部分110および第2の部分150は、基板12を通してお互いに結合される。
請求項（抜粋）：
メモリーアレイを製造する方法であって、基板の第1の面にメモリーアレイの第1の部分を製造することと、前記基板の反対側の第2の面に前記メモリーアレイの第2の部分を製造することと、前記メモリーアレイの前記第1および第2の部分を前記基板を通じてお互いに結合することとからなる前記方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
