特許

J-GLOBAL ID：200903076072254211

シリコン基板及びその製造方法、熱電モジュール、並びに半導体レーザ装置

発明者： 門谷 皖一 ,  栗山 和也
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 宇都宮 正明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319281
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134799
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 熱伝導率が高く取り扱いが容易なシリコン基板を提供する。【解決手段】 筒状の流路に水、エタノール、フロン等の熱を伝導する媒体が封入された複数のマイクロヒートパイプ2〜13と、マイクロヒートパイプ2〜13の夫々の一端を相互に結合するタンク14と、タンク14とシリコン基板1の外部とを結合する注入孔15と、注入孔15をシールする栓16とを具備する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのグルーブが形成された第1のシリコン層と、前記少なくとも1つのグルーブと相対して流路を形成するように前記第1のシリコン層に接合された第2のシリコン層と、前記流路内に注入された熱伝導媒体と、前記熱伝導媒体を前記流路内に密閉するための手段と、を具備するシリコン基板。

IPC (5件)：

H01L 35/30 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/024

FI (5件)：

H01L 35/30 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/024

Fターム (5件)：

5F073BA09 ,  5F073DA21 ,  5F073FA13 ,  5F073FA25 ,  5F073FA26