特許
J-GLOBAL ID：200903076072451009

IB-IIIA-VIA族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびその製造方法

発明者：
オーラフ トーバー

オーラフ トーバー について

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ユルゲン ペンドルフ

ユルゲン ペンドルフ について

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ミカエル ウィンクラー

ミカエル ウィンクラー について

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クラウス ヤコブ

クラウス ヤコブ について

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トーマス コシャック

トーマス コシャック について


出願人/特許権者：
アイ.エス.ティー-インスティテュート フュア ゾーラーテクノロジアン ゲゼルシャフト ミット ベンシュレンクテル ハフツング

アイ.エス.ティー-インスティテュート フュア ゾーラーテクノロジアン ゲゼルシャフト ミット ベンシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007360
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、IB-IIIA-VIA族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびこのような太陽電池素子を製造するための方法に関するものである。【解決手段】 p型導電率の多結晶IB-IIIA-VIA族吸収体層と基板としての役割を持つキャリア・フィルムとの間に多結晶IB-IIIA-VIA族吸収体層の生成のために沈着形成されるものと同じIB族金属とIIIA族金属との合金相のバック電極が設けられる。多結晶IB-IIIA-VIA族吸収体層およびバック電極は、太陽電池素子構造のバック電極としての役割を持つIB族金属とIIIA族金属の合金相がキャリア・フィルム上に直接形成されるように、IB-IIIA族金属からなる前駆体がカルコゲンとの反応によってキャリア・フィルム反対側から縦方向に井部分にのみ光起電活性吸収体材料に変換されるようにして製造される。
請求項（抜粋）：
IB-IIIA-VIA族半導体ベースの薄膜太陽電池素子において、p型導電率の多結晶IB-IIIA-VIA族吸収体層と基板として用いられるキャリア・フィルムとの間にバック電極を設け、該バック電極が上記吸収体層の生成のために沈着されるものと同じIB族金属とIIIA族金属との合金相で形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池素子。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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