特許
J-GLOBAL ID：200903076075791943
半導体ウェーハを選択的にマーキングする方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159810
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074163
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ解析システム(例えばSEMやAFM)が素早く欠陥を発見できるように、ウェーハ表面上の欠陥位置など、選択された位置においてウェーハを正確にマーキングする方法および装置を提供する。【解決手段】 本装置は、実質的に水平方向にウェーハを保持するウェーハプラテンと、そのプラテンの上方に取り付けられたマーキングアセンブリと、を備えている。このマーキングアセンブリは、光学顕微鏡とマーキングヘッドとを更に備えている。動作中、ユーザは、光学顕微鏡を使って欠陥の位置を特定し、その欠陥から所定の距離に一定のパターンの基準マーク、例えば欠陥を取り囲むダイヤモンドパターンになるように4個のマークを配置する。
請求項（抜粋）：
ウェーハ(102)をマーキングする装置であって、ウェーハ(102)を保持するウェーハプラテン(108)と、前記ウェーハプラテン(108)の上方に配置され、マーキングヘッド(116)を有するウェーハマーキングアセンブリ(104)と、前記ウェーハプラテン(108)および前記ウェーハマーキングアセンブリ(104)に結合され、前記ウェーハマーキングアセンブリ(104)の下方に前記ウェーハプラテン(108)を位置決めする駆動部アセンブリ(118、119、110)と、を備える装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 A
, H01L 21/66 A
