半導体構成素子並びに該半導体構成素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330033
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164894
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】より向上された電気特性と、特に僅かな順電圧と、必要に応じて低減された温度係数を有する、ツェナーダイオードを有する半導体構成素子を提供すること。【解決手段】第2のドーピングタイプの領域は、高濃度ドーピング領域であり、該高濃度ドーピング領域は、pnツェナー接合部の形成のために、基板とエピタキシャル層の間の境界面近傍において基板まで延在しており、ショットキー金属層は拡散された領域を少なくとも部分的に覆っているように構成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの高濃度ドーピングされたダイオード、例えばツェナーダイオードまたはトンネルダイオードを有し、さらに少なくとも1つの並列に接続されたショットキーダイオードを有している半導体構成素子であって、第1のドーピングタイプで高濃度ドーピングされた基板(4)上に同じドーピングタイプで低濃度ドーピングされたエピタキシャル層(5)を有しており、前記エピタキシャル層には第2のドーピングタイプの領域(6)が拡散されており、前記エピタキシャル層(5)の基板から離れた側には、当該エピタキシャル層(5)とショットキー金属層との間にショットキー接合部(13)が形成されている形式のものにおいて、前記第2のドーピングタイプの領域(6)は、高濃度ドーピング領域であり、該高濃度ドーピング領域は、pnツェナー接合部(8)の形成のために、基板(4)とエピタキシャル層(5)の間の境界面近傍において基板(4)まで延在しており、ショットキー金属層は拡散された領域を少なくとも部分的に覆っていることを特徴とする半導体構成素子。

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