特許

J-GLOBAL ID：200903076079989225

半導体装置およびその製造方法

発明者： 石川 和弘 ,  竹村 康司
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184837
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031762
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 フリップチップ実装構造において、メモリー素子の場合、バックバイアス電圧により半導体素子が破壊されるという課題があった。【解決手段】 半導体素子3の裏面に絶縁膜10が形成されており、その形成領域も半導体素子3の裏面と側面領域に形成されているものである。またその絶縁膜10は平坦かつ薄膜であり、半導体装置のコンタクト検査時の押圧荷重が半導体素子3の裏面に均一に印加され、半導体キャリア4や半導体素子3のワレや欠けを防止することができる。また、絶縁膜10は半導体素子3の裏面に加えて、半導体素子の側面領域までも被覆しているので、より効果的にバックバイアス電圧の絶縁化ができ、素子の破壊を防止できるものである。さらに絶縁膜10が平坦であるため、実装位置の認識時の光の反射を均一にし、認識誤差を低減することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を支持する支持体と、前記半導体素子の主面と支持体とを接合しているバンプと、半導体素子の裏面領域に形成された絶縁膜とよりなる半導体装置であって、前記絶縁膜は、平坦であり、薄膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 27/10 311

FI (5件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 23/28 H ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 27/10 311

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-293852   出願人：オムロン株式会社
• ICカード用ICモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-172912   出願人：凸版印刷株式会社