特許

J-GLOBAL ID：200903076089608157

単結晶育成装置

発明者： 金田 洋 ,  西崎 克己 ,  越前谷 一彦 ,  関 康之
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079408
公開番号（公開出願番号）：特開平6-293589
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】チョクラルスキー法を用いた単結晶育成装置において、単結晶の引上げ速度の高速化を可能とする育成装置を提供する。【構成】ルツボ1を加熱するヒータ3の周囲の従来のヒータスリーブの位置に、ヒータ3の高さ方向の温度勾配を均一化する高反射率・低熱伝導率のセラミックスからなる熱反射板(断熱材)11を設けた。このために、ヒータ3の高さ方向の等温度部領域をヒータ長さの60%程度(従来は26%)にまで拡大することができ、結晶成長速度の高速化が可能となった。なお、2はサセプタ、6はトップリング、8は炉壁、12は結晶を示す。

請求項（抜粋）：

結晶原料融液を収容するルツボと、該ルツボを囲繞して配設された該ルツボの加熱手段と、該加熱手段を囲繞して配設され該加熱手段の放熱を防止する保温手段と、該融液から単結晶を引上げる引上げ手段を備えた単結晶育成装置において、該保温手段は、該加熱手段の高さ方向温度勾配を均一化する高反射率、低熱伝導率のセラミックスからなる熱遮蔽板で形成したことを特徴とする単結晶育成装置。

IPC (2件)：

C30B 15/14 ,  H01L 21/208