特許
J-GLOBAL ID：200903076091709963
有機金属気相成長装置、それを用いた有機金属気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015430
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213328
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 構造が簡単で、 III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長を連続して行うことができる有機金属気相成長装置とそれを用いた気相成長方法を提供する。【構成】 この装置は、ウエハ装着室A、予熱室B1 ,B2 、複数の気相成長室C1 〜C4 、冷却室D1 ,D2 、およびウエハ脱着室Eがこの順序で直列配置され、ウエハ装着室Aからウエハ5が装着されたサセプタ2を順次送り出してウエハ5に目的とするIII -V族化合物半導体のエピタキシャル成長層を形成するもので、予熱室B1 ,B2 、気相成長室C1 〜C4 および冷却室D1 ,D2 が、ウエハ装着室Aからウエハ脱着室Eまで張設され、上下貫通孔3が形成された前記各室共通の1枚の板体1と、板体1の上下貫通孔3の位置で一方の面に配置されたサセプタ2と、板体1の上下貫通孔3の他方の面に配置されたガス流路8とから成る。
請求項（抜粋）：
ウエハ装着室、予熱室、複数の気相成長室、冷却室、およびウエハ脱着室がこの順序で直列配置され、前記ウエハ装着室からウエハが装着されたサセプタを順次送り出して前記サセプタを前記ウエハ脱着室まで移動させることにより、前記ウエハに目的とするIII -V族化合物半導体のエピタキシャル成長層を形成する有機金属気相成長装置において、前記予熱室、気相成長室および冷却室が、前記ウエハ装着室から前記ウエハ脱着室まで張設された前記各室共通の1枚の板体と、前記板体の一方の面に前記板体の長手方向に沿って配置されたサセプタと、前記板体の他方の面に前記板体の長手方向と直交して配置されたガス流路とから成り、前記サセプタには、前記板体との対向面に、ウエハを装着するための凹部が形成され、前記板体には、その長手方向に所定の間隔で複数の上下貫通孔が形成され、当該上下貫通孔は、サセプタの凹部に装着されている前記ウエハより大きくかつ前記サセプタの外形より小さい形状を有し、前記ガス流路には、ガス供給口とガス排出口が接続され、かつ、前記ガス流路は、平面視したときに前記上下貫通孔を包摂できる路幅を有し、前記サセプタは、互いの側部を密着させかつ前記板体と密着した状態で前記板体の面上をその長手方向に順次移動可能になっていることを特徴とする有機金属気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/54
, C30B 25/02
