特許

J-GLOBAL ID：200903076093793937

素子分離構造形成方法

発明者： 丹羽 正昭 ,  井戸田 健 ,  大西 照人 ,  原田 佳尚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092348
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283616
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 MOSトランジスタの集積度を向上させる。【解決手段】 SIMOX基板の表面に電極14を用いて行った電界支援酸化する。この電極を探針にした場合には点状の酸化膜ドットが形成され、探針を二次元的に走査することにより任意の形状で電界支援酸化膜が形成される。電界支援酸化膜15が成長して埋め込み酸化膜11に到達し、両者が幾何学的に接続された酸化膜16となる。成長した前記電界支援酸化膜16は素子形成領域17を周辺から電気的に隔離する素子分離領域18となる。深さ方向の素子分離は前記埋め込み酸化膜でなされている。この段階で前記素子形成領域17は三次元的に分離される。このように、本発明において電界支援酸化法を用いることにより、従来のLOCOS酸化に比べてきわめて幅の狭い素子分離領域の形成が可能となり、MOSデバイスの高集積化が可能となる。

請求項（抜粋）：

酸化膜層が埋め込まれた構造を有するシリコン基板において、電界支援酸化により、上部シリコン層を酸化し、前記埋め込み酸化膜層と前記上部シリコン層とを接続させる酸化膜埋め込みシリコン基板の素子分離形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/265 J ,  H01L 29/78 621